കണക്റ്റുചെയ്‌ത തെറ്റായ പവർ സപ്ലൈ പോസിറ്റീവ്, നെഗറ്റീവ് സർക്യൂട്ട് പുക, ഈ നാണക്കേട് എങ്ങനെ ഒഴിവാക്കാം?

ഹാർഡ്‌വെയർ എഞ്ചിനീയർമാരുടെ പല പ്രൊജക്‌റ്റുകളും ഹോൾ ബോർഡിൽ പൂർത്തീകരിച്ചിട്ടുണ്ട്, പക്ഷേ വൈദ്യുതി വിതരണത്തിൻ്റെ പോസിറ്റീവ്, നെഗറ്റീവ് ടെർമിനലുകൾ ആകസ്‌മികമായി ബന്ധിപ്പിക്കുന്ന പ്രതിഭാസമുണ്ട്, ഇത് നിരവധി ഇലക്ട്രോണിക് ഘടകങ്ങൾ കത്തുന്നതിലേക്ക് നയിക്കുന്നു, കൂടാതെ മുഴുവൻ ബോർഡും പോലും നശിപ്പിക്കപ്പെടുന്നു, അത് ആവശ്യമാണ്. വീണ്ടും വെൽഡ് ചെയ്യുക, അത് പരിഹരിക്കാനുള്ള നല്ല മാർഗം എന്താണെന്ന് എനിക്കറിയില്ലേ?

ഒന്നാമതായി, അശ്രദ്ധ അനിവാര്യമാണ്, പോസിറ്റീവ്, നെഗറ്റീവ് എന്നീ രണ്ട് വയറുകളെ വേർതിരിച്ചറിയാൻ മാത്രമാണെങ്കിലും, ചുവപ്പും കറുപ്പും ഒരിക്കൽ വയർ ചെയ്തേക്കാം, ഞങ്ങൾ തെറ്റുകൾ വരുത്തില്ല; പത്ത് കണക്ഷനുകൾ തെറ്റിപ്പോകില്ല, പക്ഷേ 1,000? 10,000 ആയാലോ? നമ്മുടെ അശ്രദ്ധ കാരണം ചില ഇലക്ട്രോണിക് ഘടകങ്ങളും ചിപ്പുകളും കത്തിനശിച്ചു, പ്രധാന കാരണം കറൻ്റ് അമിതമായതിനാൽ അംബാസഡർ ഘടകങ്ങൾ തകരുന്നു, അതിനാൽ റിവേഴ്സ് കണക്ഷൻ തടയാൻ നടപടികൾ കൈക്കൊള്ളണം. .

സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്ന ഇനിപ്പറയുന്ന രീതികളുണ്ട്:

01 ഡയോഡ് സീരീസ് തരം ആൻ്റി റിവേഴ്സ് പ്രൊട്ടക്ഷൻ സർക്യൂട്ട്

ഫോർവേഡ് ചാലകത്തിൻ്റെയും റിവേഴ്സ് കട്ട്ഓഫിൻ്റെയും ഡയോഡിൻ്റെ സവിശേഷതകൾ പൂർണ്ണമായി ഉപയോഗിക്കുന്നതിന് പോസിറ്റീവ് പവർ ഇൻപുട്ടിൽ ഒരു ഫോർവേഡ് ഡയോഡ് ശ്രേണിയിൽ ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. സാധാരണ സാഹചര്യങ്ങളിൽ, ദ്വിതീയ ട്യൂബ് നടത്തുകയും സർക്യൂട്ട് ബോർഡ് പ്രവർത്തിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.

വൈദ്യുതി വിതരണം വിപരീതമാകുമ്പോൾ, ഡയോഡ് വിച്ഛേദിക്കപ്പെടും, വൈദ്യുതി വിതരണം ഒരു ലൂപ്പ് രൂപീകരിക്കാൻ കഴിയില്ല, സർക്യൂട്ട് ബോർഡ് പ്രവർത്തിക്കുന്നില്ല, ഇത് വൈദ്യുതി വിതരണത്തിൻ്റെ പ്രശ്നം ഫലപ്രദമായി തടയാൻ കഴിയും.

02 റക്റ്റിഫയർ ബ്രിഡ്ജ് തരം ആൻ്റി റിവേഴ്സ് പ്രൊട്ടക്ഷൻ സർക്യൂട്ട്

പവർ ഇൻപുട്ട് നോൺ-പോളാർ ഇൻപുട്ടിലേക്ക് മാറ്റാൻ റക്റ്റിഫയർ ബ്രിഡ്ജ് ഉപയോഗിക്കുക, പവർ സപ്ലൈ കണക്ട് ചെയ്‌താലും വിപരീതമായാലും ബോർഡ് സാധാരണയായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു.

സിലിക്കൺ ഡയോഡിന് ഏകദേശം 0.6~0.8V പ്രഷർ ഡ്രോപ്പ് ഉണ്ടെങ്കിൽ, ജെർമേനിയം ഡയോഡിന് ഏകദേശം 0.2~0.4V പ്രഷർ ഡ്രോപ്പ് ഉണ്ട്, പ്രഷർ ഡ്രോപ്പ് വളരെ വലുതാണെങ്കിൽ, ആൻ്റി-റിയാക്ഷൻ ചികിത്സയ്ക്കായി MOS ട്യൂബ് ഉപയോഗിക്കാം, MOS ട്യൂബിൻ്റെ പ്രഷർ ഡ്രോപ്പ് വളരെ ചെറുതാണ്, കുറച്ച് മില്ലിഓം വരെ, മർദ്ദം കുറയുന്നത് ഏതാണ്ട് നിസ്സാരമാണ്.

03 MOS ട്യൂബ് ആൻ്റി റിവേഴ്സ് പ്രൊട്ടക്ഷൻ സർക്യൂട്ട്

പ്രോസസ്സ് മെച്ചപ്പെടുത്തൽ, സ്വന്തം ഗുണങ്ങൾ, മറ്റ് ഘടകങ്ങൾ എന്നിവ കാരണം MOS ട്യൂബ്, അതിൻ്റെ ആന്തരിക പ്രതിരോധം ചെറുതാണ്, പലതും മില്ലിഓം ലെവൽ അല്ലെങ്കിൽ അതിലും ചെറുതാണ്, അതിനാൽ സർക്യൂട്ട് വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പ്, സർക്യൂട്ട് മൂലമുണ്ടാകുന്ന വൈദ്യുതി നഷ്ടം പ്രത്യേകിച്ച് ചെറുതും അല്ലെങ്കിൽ നിസ്സാരവുമാണ്. , അതിനാൽ സർക്യൂട്ട് പരിരക്ഷിക്കുന്നതിന് MOS ട്യൂബ് തിരഞ്ഞെടുക്കുക കൂടുതൽ ശുപാർശ ചെയ്യുന്ന മാർഗമാണ്.

1) NMOS സംരക്ഷണം 

താഴെ കാണിച്ചിരിക്കുന്നത് പോലെ: പവർ-ഓൺ നിമിഷത്തിൽ, MOS ട്യൂബിൻ്റെ പാരാസിറ്റിക് ഡയോഡ് സ്വിച്ച് ഓണാക്കി, സിസ്റ്റം ഒരു ലൂപ്പ് ഉണ്ടാക്കുന്നു. ഉറവിടം S ൻ്റെ സാധ്യത ഏകദേശം 0.6V ആണ്, ഗേറ്റ് G യുടെ സാധ്യത Vbat ആണ്. MOS ട്യൂബിൻ്റെ ഓപ്പണിംഗ് വോൾട്ടേജ് അങ്ങേയറ്റം ആണ്: Ugs = Vbat-Vs, ഗേറ്റ് ഉയർന്നതാണ്, NMOS-ൻ്റെ ds ഓണാണ്, പാരാസിറ്റിക് ഡയോഡ് ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് ആണ്, കൂടാതെ NMOS-ൻ്റെ ds ആക്‌സസ് വഴി സിസ്റ്റം ഒരു ലൂപ്പ് ഉണ്ടാക്കുന്നു.

പവർ സപ്ലൈ റിവേഴ്‌സ് ആണെങ്കിൽ, NMOS-ൻ്റെ ഓൺ-വോൾട്ടേജ് 0 ആണ്, NMOS ഛേദിക്കപ്പെടും, പാരാസൈറ്റിക് ഡയോഡ് റിവേഴ്‌സ് ചെയ്യപ്പെടുകയും സർക്യൂട്ട് വിച്ഛേദിക്കപ്പെടുകയും അങ്ങനെ സംരക്ഷണം രൂപപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നു.

2) PMOS സംരക്ഷണം

താഴെ കാണിച്ചിരിക്കുന്നത് പോലെ: പവർ-ഓൺ നിമിഷത്തിൽ, MOS ട്യൂബിൻ്റെ പാരാസിറ്റിക് ഡയോഡ് സ്വിച്ച് ഓണാക്കി, സിസ്റ്റം ഒരു ലൂപ്പ് ഉണ്ടാക്കുന്നു. ഉറവിടം S ൻ്റെ പൊട്ടൻഷ്യൽ ഏകദേശം Vbat-0.6V ആണ്, ഗേറ്റ് G യുടെ പൊട്ടൻഷ്യൽ 0 ആണ്. MOS ട്യൂബിൻ്റെ ഓപ്പണിംഗ് വോൾട്ടേജ് അങ്ങേയറ്റം ആണ്: Ugs = 0 - (Vbat-0.6), ഗേറ്റ് ഒരു താഴ്ന്ന നിലയായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു. , PMOS-ൻ്റെ ds ഓണാണ്, പാരാസൈറ്റിക് ഡയോഡ് ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് ആണ്, PMOS-ൻ്റെ ds ആക്സസ് വഴി സിസ്റ്റം ഒരു ലൂപ്പ് ഉണ്ടാക്കുന്നു.

പവർ സപ്ലൈ റിവേഴ്‌സ് ആണെങ്കിൽ, NMOS-ൻ്റെ ഓൺ-വോൾട്ടേജ് 0-ൽ കൂടുതലാണ്, PMOS ഛേദിക്കപ്പെടും, പാരാസൈറ്റിക് ഡയോഡ് റിവേഴ്‌സ് ചെയ്യപ്പെടുകയും സർക്യൂട്ട് വിച്ഛേദിക്കപ്പെടുകയും അങ്ങനെ സംരക്ഷണം രൂപപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നു.

ശ്രദ്ധിക്കുക: NMOS ട്യൂബുകൾ നെഗറ്റീവ് ഇലക്‌ട്രോഡിലേക്ക് സ്ട്രിംഗ് ds, പോസിറ്റീവ് ഇലക്‌ട്രോഡിലേക്ക് PMOS ട്യൂബുകൾ string ds, ഒപ്പം പാരാസൈറ്റിക് ഡയോഡ് ദിശ ശരിയായി ബന്ധിപ്പിച്ച നിലവിലെ ദിശയിലേക്കാണ്.

MOS ട്യൂബിൻ്റെ D, S ധ്രുവങ്ങളുടെ പ്രവേശനം: സാധാരണയായി N ചാനലുള്ള MOS ട്യൂബ് ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, കറൻ്റ് സാധാരണയായി D ധ്രുവത്തിൽ നിന്ന് പ്രവേശിക്കുകയും S ധ്രുവത്തിൽ നിന്ന് പുറത്തേക്ക് ഒഴുകുകയും ചെയ്യുന്നു, കൂടാതെ PMOS പ്രവേശിക്കുകയും D S-ൽ നിന്ന് പുറത്തുകടക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. ധ്രുവം, ഈ സർക്യൂട്ടിൽ പ്രയോഗിക്കുമ്പോൾ വിപരീതം ശരിയാണ്, MOS ട്യൂബിൻ്റെ വോൾട്ടേജ് അവസ്ഥ പരാന്നഭോജി ഡയോഡിൻ്റെ ചാലകത്തിലൂടെ കണ്ടുമുട്ടുന്നു.

G, S ധ്രുവങ്ങൾക്കിടയിൽ അനുയോജ്യമായ വോൾട്ടേജ് സ്ഥാപിക്കുന്നിടത്തോളം കാലം MOS ട്യൂബ് പൂർണ്ണമായും ഓണാക്കും. നടത്തിക്കഴിഞ്ഞാൽ, ഡിക്കും എസ്സിനും ഇടയിൽ ഒരു സ്വിച്ച് അടച്ചതുപോലെയാണ്, കറൻ്റ് ഡിയിൽ നിന്ന് എസ് അല്ലെങ്കിൽ എസ് മുതൽ ഡി വരെ ഒരേ പ്രതിരോധമാണ്.

പ്രായോഗിക പ്രയോഗങ്ങളിൽ, G പോൾ സാധാരണയായി ഒരു റെസിസ്റ്ററുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, കൂടാതെ MOS ട്യൂബ് തകരുന്നത് തടയാൻ, ഒരു വോൾട്ടേജ് റെഗുലേറ്റർ ഡയോഡും ചേർക്കാവുന്നതാണ്. ഒരു വിഭജനത്തിന് സമാന്തരമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന ഒരു കപ്പാസിറ്ററിന് സോഫ്റ്റ്-സ്റ്റാർട്ട് ഇഫക്റ്റ് ഉണ്ട്. കറൻ്റ് ഒഴുകാൻ തുടങ്ങുന്ന നിമിഷത്തിൽ, കപ്പാസിറ്റർ ചാർജ്ജ് ചെയ്യുകയും ജി പോൾ വോൾട്ടേജ് ക്രമേണ നിർമ്മിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.

PMOS-ന്, NOMS-മായി താരതമ്യം ചെയ്യുമ്പോൾ, Vgs ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജിനേക്കാൾ വലുതായിരിക്കണം. ഓപ്പണിംഗ് വോൾട്ടേജ് 0 ആയിരിക്കുമെന്നതിനാൽ, DS തമ്മിലുള്ള സമ്മർദ്ദ വ്യത്യാസം വലുതല്ല, ഇത് NMOS നേക്കാൾ പ്രയോജനകരമാണ്.

04 ഫ്യൂസ് സംരക്ഷണം

ഫ്യൂസ് ഉപയോഗിച്ച് പവർ സപ്ലൈ ഭാഗം തുറന്നതിന് ശേഷം പല സാധാരണ ഇലക്ട്രോണിക് ഉൽപ്പന്നങ്ങളും കാണാൻ കഴിയും, വൈദ്യുതി വിതരണം മറിച്ചിടുന്നു, വലിയ കറൻ്റ് കാരണം സർക്യൂട്ടിൽ ഒരു ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് ഉണ്ട്, തുടർന്ന് ഫ്യൂസ് ഊതപ്പെടുന്നു, സംരക്ഷിക്കുന്നതിൽ പങ്ക് വഹിക്കുന്നു. സർക്യൂട്ട്, എന്നാൽ ഈ രീതിയിൽ അറ്റകുറ്റപ്പണിയും മാറ്റിസ്ഥാപിക്കലും കൂടുതൽ പ്രശ്‌നകരമാണ്.